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本实用新型涉及一种基于DFN封装的散热装置，包括MOSFET芯片、导电基盘和环氧树脂层，MOSFET芯片的上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，导电基盘由散热区和引线框架组成，引线框架的中央基岛与MOSFET芯片的下表面结合，散热区位于MOSFET芯片的正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料层电连接，环氧树脂层包绕整个MOSFET芯片并与引线框架的顶部相固定，MOSFET芯片的顶部设有散热片，散热片的底部两侧设有凸柱，MOSFET芯片的顶部两侧设有与凸柱相匹配的插槽，MOSFET芯片底部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210535651 U
(45)授权公告日
2020.05.15
(21)申请号 20192
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