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本实用新型公开一种MOS半导体器件,包括至少2个MOS器件单胞,所述MOS器件单胞进一步包括:硅基片、分别位于硅基片上部、中部和下部的P型阱层、N型外延层和N型漏极层;在P型阱层上部且在重掺杂N型源极区周边具有一中掺杂N型源极层,此中掺杂N型源极层的上端与P型阱层上表面齐平,中掺杂N型源极层的下端与位于沟槽侧壁上的二氧化硅层接触;位于相邻MOS器件单胞之间的P型阱层内具有一N掺杂深延部,此N掺杂深延部的下端面在竖直方向上低于中掺杂N型源极层下端,N掺杂深延部的上端面与P型阱层的上端面齐平。本实用
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219738961 U
(45)授权公告日 2023.09.22
(21)申请号 202223608687.6
(22)申请日 2022.12.31
(73)专利权人 苏州达晶半导体有限公司
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