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本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括:首先,提供衬底;之后,在衬底的部分表面上形成多个间隔设置的栅极结构,栅极结构包括第一栅极结构和多个第二栅极结构,多个第二栅极结构位于第一栅极结构一侧,且任意两个第二栅极结构之间的距离沿着预定方向逐渐增大;之后,在各第二栅极结构两侧的衬底中形成多个间隔的掺杂区;最后,对掺杂区进行退火操作,使得掺杂区离子扩散,形成连续的阶梯状掺杂区。该方法通过设置多个间隔的第二栅极结构,且相邻第二栅极结构之间的距离依次增大,因而通过离子注入以及退火可以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779537 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311036931.2
(22)申请日 2023.08.17
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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