原创力文档- 1、本文档共13页，其中可免费阅读12页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种屏蔽栅MOS器件及其制造方法，本发明中终端区开口的衬底侧壁上形成有牺牲氧化层和栅氧化层一起作为隔离氧化层，终端区开口内屏蔽栅与多晶硅栅之间也是形成有牺牲氧化层和栅氧化层一起作为隔离氧化层；而有源区内开口侧壁仅形成有栅氧化层。本发明在不增加有源区的栅氧化层厚度的前提下，增加了终端区内开口的衬底侧壁上的隔离氧化层厚度，增加了终端区开口内屏蔽栅与多晶硅栅之间的隔离氧化层厚度，从而解决了HTRB测试中终端区容易出现失效点的问题，提高了屏蔽栅MOSFET器件的合格率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779447 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310946024.5
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
文档评论（0）