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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,基底包括第一区和第二区且表面具有第一掩膜层;对第一掩膜层进行改性处理,在第一区上的第一掩膜层内形成若干改性区;在第二区上的第一掩膜层上形成若干第一掩膜结构;以若干第一掩膜结构和改性区为掩膜,刻蚀第一掩膜层,形成若干第二掩膜结构和若干第三掩膜结构;以第二掩膜结构图形化第二区,并以第三掩膜结构图形化第一区,在第一区形成若干第一鳍,在第二区形成若干第二鳍。所述方法提高了形成的半导体结构的性能和可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779442 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202210243381.0
(22)申请日 2022.03.11
(71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限
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