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本实用新型公开了肖特基二极管技术领域的一种肖特基二极管的沟槽结构,包括N型衬底,所述N型衬底顶部外壁右侧设有正面接触金属,所述正面接触金属左端延伸至介质层顶部,所述正面接触金属包括设置在介质层顶部的终端区,所述终端区右侧设有过渡区,所述过渡区右侧设置有有源区,所述过渡区和有源区底部与N型衬底顶部连接,所述正面接触金属与沟槽之间的N型衬底上表面覆盖有势垒金属,所述势垒金属与正面接触金属底部接触,肖特基采用该沟槽结构,会使正向压降VF较低,具有普通二极管无法超越的优势,可以降低在二极管上消耗的功率,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210429830 U
(45)授权公告日
2020.04.28
(21)申请号 20192
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