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本实用新型公开了一种MOSFET的封装结构,包括硅基板,硅基板的顶部开设有矩形下沉凹槽,硅基板的内壁底部固定连接有导电层,导电层顶部相对应的两侧且位于矩形下沉凹槽的内部依次固定连接有第一金属层、第二金属层,导电层的顶部中央位置且位于矩形下沉凹槽的内部固定连接有漏极导电垫,漏极导电垫的顶部设置有MOSFET芯片,MOSFET芯片的顶部依次设置有源极导电垫、栅极导电垫,硅基板的顶部设置有保护层,硅基板的内壁底部开设有与导电层相适配的矩形槽,本实用新型涉及半导体封装技术领域。该一种MOSFET的封装结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210429780 U
(45)授权公告日
2020.04.28
(21)申请号 20192
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