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包括具有共享预加载线和激活线的存储器位单元的装置。每个存储器中计算(CIM)NAND或NOR8T‑SRAM位单元包括(6T)SPRAM电路配置,耦合到六晶体管(6T)SPRAM电路配置的第一晶体管、耦合到第一晶体管的第二晶体管、耦合到第二晶体管的第三晶体管、以及耦合到第二晶体管与第三晶体管的电容器。存储器电路包括耦合到第三晶体管的读取字线、耦合到第三晶体管的读取位线以及耦合到第二晶体管的激活线。存储器位单元可以被配置为作为NAND存储器位单元操作。存储器位单元可以被配置为作为NOR存储器位单元
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115053290 A
(43)申请公布日 2022.09.13
(21)申请号 202180012851.6 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所
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