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本申请涉及一种光学微结构、光学运算器件以及光学微结构调制方法。该光学微结构包括I型本征掺杂的环形波导、P型掺杂区、N型掺杂区以及波导总线；该P型掺杂区和该N型掺杂区分别分布在该环形波导的内外两侧，形成PIN结；该环形波导位于该波导总线的一侧；在入射光输入该波导总线、且该PIN结处于雪崩临界状态的情况下，该环形波导吸收该入射光的能量产生光电流触发雪崩，使得该环形波导的透过率发生变化。采用本方法能够有效的提高计算的工作效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116755262 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202310702996.X
(22)申请日 2023.06.14
(71)申请人 清华大学
地址 100084
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