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1、动态存储单元及基本操作原理 T 存储单元 写操作:X=1 =0 T导通，电容器C与位线B连通 输入缓冲器被选通，数据DI经缓冲器和位线写入存储单元 如果DI为1，则向电容器充电，C存1;反之电容器放电,C存0 。 - 刷新R 行选线X 读/写 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 7.2.3 动态随机存取存储器 当前第31页\共有43页\编于星期三\5点 读操作:X=1 =1 T导通，电容器C与位线B连通 输出缓冲器/灵敏放大器被选通，C中存储的数据通过位线和缓冲器输出 T / 刷新R 行选线X 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制R也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。 当前第32页\共有43页\编于星期三\5点 7.2.4 存储器容量的扩展 位扩展可以利用芯片的并联方式实现。 ··· CE ┇ A11 A0 ··· WE D0 D1 D2 D3 WE CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 D12 D13 D14 D15 CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 WE 1. 字长（位数）的扩展---用4KX4位的芯片组成4KX16位的存储系统。 当前第33页\共有43页\编于星期三\5点 脉冲数字电路 教学基本要求： 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。 当前第1页\共有43页\编于星期三\5点 概 述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 可编程逻辑器件是一种通用器件，其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵活、处理速度快、可靠性高等优点。 存储器的主要性能指标 取快速度——存储时间短 存储数据量大——存储容量大 当前第2页\共有43页\编于星期三\5点 7.1 只读存储器 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 7.1.2 两维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与时序图 7.1.6 ROM的应用举例 当前第3页\共有43页\编于星期三\5点 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器)：在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM)：静态RAM DRAM (Dynamic RAM)：动态RAM 7.1 只读存储器 当前第4页\共有43页\编于星期三\5点 几个基本概念： 存储容量（M)：存储二值信息的总量。 字数：字的总量。 字长（位数）：表示一个信息多位二进制码称为一个字， 字的位数称为字长。 存储容量（M)＝字数×位数 地址：每个字的编号。 字数=2n （n为存储器外部地址线的线数） 当前第5页\共有43页\编于星期三\5点 只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM 按存贮单元中器件划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 当前第6页\共有43页\编于星期三\5点 存储矩阵 地址译码器 地址输入 ROM的定义与基本结构 数据输出 控制信号输入 输出控制电路 地址译码器 存储矩阵 输出控制电路 当前第7页\共有43页\编于星期三\5点 1）ROM（二极管PROM）结构示意图 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 M=4?4 地址译码器 当前第8页\共有43页\编于星期三\5点 字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1，无二极管相当存0 当OE=1时输出为高阻状态 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0