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本发明提出了一种芯片的静电感应破坏测试方法。静电感应破坏测试时,被测芯片放在不锈钢工作台上,被测芯片衬底面向静电电子枪枪头,保证静电感应破坏测试时产生的静电场穿过芯片器件层。当被测芯片衬底的最外面覆盖金属片时,静电电子枪的枪头直接接触金属片,进行放电测试;当被测芯片衬底最外面覆盖绝缘层时,静电电子枪的枪头直接接触绝缘层,进行放电测试;当被测芯片衬底外面的绝缘层被去除,露出贴片胶时,静电电子枪的枪头直接接触贴片胶,进行放电测试;当被测芯片背面完全露出衬底时,静电电子枪的枪头直接接触芯片衬底,进行放
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112130008 A
(43)申请公布日 2020.12.25
(21)申请号 202010769906.5
(22)申请日 2020.08.04
(71)申请人 北京中电华大电子设计有限责任公
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