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本发明涉及光刻模拟领域,特别是涉及一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质,通过接收目标版图;将所述目标版图进行OPC修正,得到待调掩膜;确定所述待调掩膜上各个相邻的边段间的错位距离;根据相邻的边段间的错位距离,确定处理组;所述处理组中包括在所述待调掩膜上连续的多个边段,且同一处理组内的相邻的边段间的错位距离小于调整阈值;将同一处理组内的边段调整至齐平,得到优化掩膜。本发明计算所述待调掩膜上的相邻边段之间的错位距离,将错位距离较小的边段合并对齐,以避免后续掩膜生产过程中掩膜版机台不必要
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116699939 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310990303.1
(22)申请日 2023.08.08
(71)申请人 华芯程(杭州)科技有限公司
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