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本发明提供一种螺旋缠绕型金属氧化物薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括基板;所述基板之上设有栅极,所述栅极之上设置有栅极绝缘层,所述栅极绝缘层之上设置有半导体层,所述半导体层之上设置有源漏极;所述源漏极包括源极和漏极,所述源极和所述漏极之间互相呈螺旋缠绕式结构设置于所述半导体层上;所述半导体层和栅极可搭配方型或螺旋缠绕式结构设置。本发明可以分散TFT薄膜间结构应力施加于半导体层的效果,并且减少半导体层边缘在器件中的面积占比,减少次生沟道发生的可能性,使得器件具有较高稳定度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705841 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310378926.3
(22)申请日 2023.04.11
(71)申请人 华映科技(集团)股份有限公司
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