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本实用新型公开了一种碳化硅二极管元胞结构，包括矩形元胞，矩形元胞包括P型注入区和n型区域，P型注入区包括中心P型注入区和外侧P型注入区，n型区域包括无注入n型区域，其中：P型注入区为圆形，其位于矩形元胞中的中心；无注入n型区域为圆环或圆角矩形，其与P型注入区同心，其内侧和外侧分别与P型注入区和外侧P型注入区相接；外侧P型注入区为矩形或圆角矩形，其位于矩形元胞中的外侧。本实用新型提升了碳化硅二极管的浪涌电流及雪崩电流耐量，同时简化了工艺步骤，提高了开关效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210325808 U
(45)授权公告日
2020.04.14
(21)申请号 20192
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