电子厂工艺流程介绍：LTPS TFT-LCD制程介绍.pptxVIP

LTPS TFT-LCD之ARRAY制程Confidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distribute 内容1.1LTPSTFT-LCD显示器简介1.2LTPSTFT之Array.2Thin ELAfilmConfidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distribute1.2.3 Photo1.2.4 Etching TFT-LCD显示器CELL名词解释：TFT：Thin Film Transistor薄膜场效应晶体管LCD：Liquid Crystal Display液晶显示器CFARRAY名词解释：ARRAY:TFT的阵列CF:彩膜 CELL:成盒 MODULE:模组MODULETFT-LCD的结构LTPS TFT-LCD显示器简介Confidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distribute （ARRAY-TFT阵列）（CELL-配向 膜，液晶灌注）（Color Filter-彩膜）（Module-模组，偏光板，PCB板，广视角的组装）LTPS TFT-LCD显示器简介Confidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distribute 在LTPS TFT-LCD的各层中，TFT层占据着极为重要的地位，是LTPS制程中的重要组成部分。下面我们来看一下该层是如何形成的。（背光源）（下偏光板）（薄膜晶体管）（彩膜RGB）液晶（上偏光板）LTPS TFT-LCD显示器简介Confidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distribute LTPS TFT工艺概述名词解释：LTPS：Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅 LTPS〈低温多晶硅〉就是在摄氏600 ℃或更低的温度下经过准分子镭射回火(Excimer Laser Anneal)的制程步骤所生产的多晶硅。 利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的光束，投射于非晶硅结构上，当非晶硅吸收镭射的能量后，薄膜熔融、结晶，转变成为多晶硅结构。准分子镭射晶化LTPS在TFT中的位置p-SiConfidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distribute LTPS TFT工艺概述LTPS TFT的工艺主要分为三大类：成膜制程（Thin Film）光刻制程 (Photo)蚀刻制程 ( Etching)玻璃基板投入后，先经过成膜制程，然后进入光刻制程，最后送入蚀刻制 程，这样一道光罩的工序就基本完成了，而完整的LTPS TFT通常需要7~11 次光罩，所以每完成一道光罩都需要循环一次，直到最后LTPS TFT的完成。7~11次 maskConfidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distribute LTPS TFT-LCD制程之Thin FilmThin film薄膜沉积化学气相沉积（CVD）在LTPS形成以前需要在玻璃基板上沉积一层非晶硅的薄膜。在晶片上形成膜的技术可分为：1、薄膜成长：会消耗晶片或底材的材料2、薄膜沉积：a 物理气相沉积（PVD）b 化学气相沉积 (CVD)由于第一种方法需要消耗晶片或底材的材料，所以现在一般采用的方法为物理气相沉积和化学气相沉积薄膜成长物理气相沉积（PVD）Confidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distribute 物理气相沉积（PVD）：物理气相沉积分为蒸镀和溅镀1、蒸镀：将被蒸镀物体加热（电阻式或电子束），利用其在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜的沉积。2、溅镀：利用电浆内产生的部分离子加速撞击置于阴极板的电极材料，所击出的原子沉积于另一电极的表面。蒸镀示意图溅镀示意图Confidential, unpublishedpropertyof LK. Donotduplicateor distributeLTPS TFT-LCD制程之Thin Film 溅镀主要有以下几种方法：1、传统式：直流电浆，磁控DC电源，属于高速低温溅镀法.该工艺要求真空度在1×10-3Torr左右，即1.3×10-3Pa的真空状态充入惰 性气体氩气（Ar），并在玻璃基材（阳极）和金属靶材（阴极）之间加上 高压直流电，由于辉光放电（glow discharge）产生的电