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本公开涉及制造半导体器件的方法。为了使主要由Hf和Zr中的至少一种以及O组成的金属氧化物膜显示出铁电特性。在经由绝缘膜在半导体衬底上沉积氧化铪膜之后,半导体衬底被暴露给微波以选择性地加热氧化铪膜。这使得可以在氧化铪膜的晶体中形成更多数量的正交晶体。因此,如此得到的氧化铪膜可以显示出铁电特性,而不需向其中添加诸如Si的杂质。这意味着具有反向尺寸效应的氧化铪膜可用作铁电存储单元的铁电膜,并且有助于小型化的铁电存储单元的制造。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108962898 A
(43)申请公布日
2018.12.07
(21)申请号 20181
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