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本发明公开了一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构，所述基区位于集电区和发射区之间，采用P型掺杂的InGaAs外延层或P型掺杂的InGaAsSb外延层，且在由集电区向发射区的外延过程中，P型掺杂的浓度由低到高渐变，InGaAs外延层中In组分由高到低渐变，或者InGaAsSb外延层中In、As组分均由高到低渐变。本发明可在基区厚度较薄的情况下，通过基区材料组分和P型掺杂浓度的双缓变，最大程度地使基区能带倾斜，产生最大的内建电场，提升器件的频率性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116682851 A
(43)申请公布日 2023.09.01
(21)申请号 202310880487.6
(22)申请日 2023.07.18
(71)申请人 中国电子科技集团
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