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本实用新型公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构,属于集成电路封装领域。所述埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构包括硅基,所述硅基的第一面开有凹槽,所述凹槽中埋有芯片;所述芯片包括TSV转接芯片、TSV转接芯片和高密度I/O异质芯片;所述芯片的TSV金属通道或金属焊盘与第一表面重布线连接,所述第一表面重布线通过微凸点与高密度I/O异质芯片倒装焊接;所述硅基的第二面填充有真空压干膜,并依次制作有第二表面重布线、阻焊层和凸点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210296360 U
(45)授权公告日
2020.04.10
(21)申请号 20192
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