半导体存储器行业全景调研与投资规划分析.pptx

半导体存储器行业全景调研与投资规划分析202X-XX-XX 行业分析报告半导体存储器行业定义萌芽期（1965年-1974年）产业链产业链政治环境1政治环境2政治环境2经济环境社会环境1社会环境2行业驱动因素行业驱动因素行业现状行业现状行业现状行业现状行业热点行业制约因素行业问题行业发展建议竞争格局行业发展趋势行业发展趋势代表企业1代表企业2 01半导体存储器行业定义 半导体存储器行业定义半导体存储器又称存储芯片，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成部分。半导体存储器具有体积小、存储速度快等特点，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。根据功能的不同，半导体存储器可分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两类:随机存储器（RAM）:RandomAccessMemory，即随机存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。RAM可随时读写且速度快，但任何RAM中存储的信息在断电后，所存储的数据将丢失。（2）只读存储器（ROM）:只读存储器是一种只能读取事先存储的固态半导体存储器，ROM所存数据稳定，即使断电后所存数据也不会改变。ROM的制造成本低，常用于存储各种固定程序和数据。根据可编程或可抹除可编程功能，ROM可分为PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和FlashMemory。FlashMemory是当前主流存储器，其结合了ROM和RAM的特点，不仅具备电子可擦除可编程的性能，能够快速读取数据而且断电时不会丢失数据，主要用于U盘、MP3、硬盘等产品。 02萌芽期（1965年-1974年） 萌芽期（1965年-1974年）半导体存储行业研究起步于1965年，美国IBM企业是最早投入到DRAM产品技术研发领域。1970年，美国IBM公司宣布在其推出的大型机System/370Model145的主内存上使用半导体存储器替代磁芯。基于IBM在计算机市场中的地位，此举推动了半导体存储器替代磁芯之势，半导体存储器中DRAM内存芯片得以发展，为半导体存储器DRAM研究以及应用奠定了基础。同年，美国英特尔研发出ROM作为非易失性存储器，但ROM内存放的内容只能读取而不能读写，操作使用不便。初步发展期（1975年-2000年）快速发展期（2000年至今） 初步发展期（1975年-2000年）在IBM宣布开发动态存储器的第四代系统后，1976年，由日本通产省组织，以富士通、日立、三菱、日本电器、东芝企业为首，联合日本工业技术研究院、电子综合研究所和计算机综合研究所共同参与超大规模集成电路（VLSL）项目。该项目成功开发了64K集成电路、256K动态存储器。1980年，VLSL项目共取得1,200多项专利，发表科技论文达460余篇。日本凭借领先的DRAM技术，推动日本DRAM产品在全球市占率不断提升。1980年至1986年的七年时间内，日本DRAM产品在全球市占率从25.6%上升至44%，，而美国DRAM则从62% 快速发展期（2000年至今）进入2000年后，全球高科技产业发展迅速。美国、日本、韩国抓住3C产品的需求特性，在全球范围内掀起了半导体存储器应用研发的热潮。随着技术进步，半导体存储器产品可靠性不断提高。目前半导体存储器不仅用于各种计算机和服务器中，同时也是磁盘阵列和各网络存储系统中基本的存储单元。 03产业链 产业链产业链上游产业链中游产业链下游 产业链上游硅片、光刻胶、抛光液、光刻机、刻蚀设备、清洗设备、检测测试设备 产业链下游消费电子、信息通信、汽车电子、硬盘、内存、U盘 04产业链 产业链产业链上游产业链中游产业链下游 产业链上游中国半导体存储器行业产业链上游参与者为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料供应商和光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备和检测与测试设备等设备供应商。（1）硅片、光刻胶、CMP抛光液硅片、光刻胶、CMP抛光液是生产半导体存储器芯片的主要原材料。①在硅片领域，由于半导体硅片对最终芯片的性能影响较大，半导体厂商对硅片的产品质量及一致性要求极高，其纯度须达99.9999999%以上。（2）光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备和检测与测试设备在上游设备方面，光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备和检测与测试设备是半导体存储器制造过程中重要使用设备。光刻机价格高昂，在半导体存储器设备使用中所占成本最高。中国光刻机国产化程度低于10%，光刻机市场被荷兰ASML和日本尼康株式会社所垄断，而高端光刻机市场几乎被ASML垄断。工艺制程及波长是衡量光刻机设备的关键指标，目前ASML的EUV光刻机工艺制程已达到7纳米及以下、波长为15纳米，工艺精细度高；而中国上海微电子装备股份有限公司最先进的光刻机工艺制程为90纳米