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半导体刻蚀设备.pdfVIP

半导体刻蚀设备.pdf

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    本实用新型提供一种半导体刻蚀设备，其包括：大气传送腔，用于容纳被刻蚀物；气体过滤装置，设置在所述大气传送腔的进气口处，所述气体过滤装置包括初级过滤件及次级过滤件，所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，外界气体经过所述初级过滤件后进入所述过滤通道，并经所述次级过滤件进入所述大气传送腔。本实用新型的优点在于，将所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，外界气体经所述初级过滤件过滤后直接由过滤通道进入次级过滤件过滤，避免了经初级过滤件过滤的气体在进入次级过滤件之前被污染，大大减小了进入所述大气

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210272276 U (45)授权公告日 2020.04.07 (21)申请号 20192

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