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得到半导体装置,其抑制工艺成本的增加,具有包含电阻性场板的高耐压构造。电阻性场板(6)以从外侧的主电极(4)逐渐接近内侧的主电极(3)的方式,在俯视观察时配置为螺旋状。多个浮置层(8)在俯视观察时以高电位区域(1)为中心朝向低电位区域(2)配置为放射状。电阻性场板(6)隔着层间绝缘膜(10)设置于多个浮置层(8)之上,因此具有反映了多个浮置层(8)各自的膜厚的浮置台阶(S8)。即,电阻性场板(6)是以沿环绕方向重复产生浮置台阶(S8)的方式设置的。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116666442 A
(43)申请公布日 2023.08.29
(21)申请号 202310136192.8
(22)申请日 2023.02.20
(30)优先权数据
2022-027838 202
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