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三管动态RAM存储单元电路如图:存储单元由于漏电流的存在，下面分三个过程讨论：电容上存储的数据（电荷）不能长久保存，因?写入数据此必须定期给电容补充写入刷新控制电路电荷，以避免存储数据?读出数据的丢失，这种操作称为存储数据的电容再生或刷新。?刷新数据写入数据的控制门读出数据的控制门
写入数据：R/W=0,G 导通，G 截止12当X ＝ Y ＝1时，输入数被1i据D 经G 反相，jI3T 、 T 、 T 、 T 均导存入电容C中345。通，此时可以对存储单元进行存取操作。若D ＝0，电容充电；I若D ＝1，电容放电。I当X ＝ Y ＝0时，ij写入的数据由C保存。
读出数据：R/W=1,G 截止
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