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本实用新型提供了一种全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器,解决现有超快诊断设备无法同时具备高时间分辨率、高空间分辨率性能,以及现有电子光学电真空超快诊断设备诊断效果差的问题。其中芯片包括沿入射信号光传输方向依次设置的调制光栅、光学膜系、半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构、第一增透膜、基片及第二增透膜,信号光入射调制光栅,探针光入射第二增透膜;所述光学膜系对信号光进行增透、对探针光进行增反;所述半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构用于探测信号光,并经调制光栅调
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210243002 U
(45)授权公告日
2020.04.03
(21)申请号 20192
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