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本实用新型是有关于一种高导热性金属键合结构,主要是在一VCSEL(面射型雷射)元件下方设置一用于导热或/及反光的反光金属层及钼金属层。利用反光金属层的高反射率来降低非主出光面DBR(分布式布拉格反射镜层)的磊晶层对数,并透过钼金属层与钼金属层所连接的基板之间的高的热传导系数数值,使VCSEL元件在发光时产生的热量很容易导出到外部环境以进行整个VCSEL元件的散热。另外,借由钼金属层与基板之间的的热膨胀系数数值相当接近,钼金属层及基板所产生的线性热膨胀的量也相当接近,VCSEL元件有较小的残存应力
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210224593 U
(45)授权公告日
2020.03.31
(21)申请号 20192
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