精选模拟电子技术基础第四第一章讲义.pptVIP

三极管能具有放大作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE E C B T C B E T 当前第63页\共有129页\编于星期一\11点 晶体管的基本放大应用 输入回路 输出回路 有源器件 Ｒb偏置电阻 ＲＣ集电极 负载电阻 共射(CE) 20V VCC RC Rb VBB ui + - uCE (uO) + - VBB VCC偏置电源 ui要放大的小信号 uO放大后的输出 当前第64页\共有129页\编于星期一\11点 1.5.2 三极管的三种接法 一、共发射极(CE)接法 二、共集电极(CC)接法 三、共基极(CB)接法 ui uo ui uo ui uo 不同的接法具有不同的电路特性，但管子的工作原理都是相同的。 当前第65页\共有129页\编于星期一\11点 以NPN管共发射极接法为例，来说明电流放大的概念。 1.5.3 三极管的电流放大（控制）作用 一、电流放大的概念 VCC RC IC UCE C E B UBE 输出 回路 输入 回路 公共端 VBB RB IB IE T VCCVBB 调节RB，观察IB、IC及IE的变化。 结论 （1）IB+IC=IE—此结果符合KCL （2）IC、IE比IB大得多。 （3）IB很小的变化可引起IC很大的变化，即IC受IB控制—这就是三极管的电流控制作用。 当前第66页\共有129页\编于星期一\11点 PN结无外加电压时(平衡PN结), P区或N区的少子因达到动态平衡而称为平衡少子 PN结外加正向电压时, P区或N区的多子 扩散到对方而成为对方的非平衡少子 平衡少子: 非平衡少子: 本区本征激发的少子 另一区的多子扩散过来的 当前第67页\共有129页\编于星期一\11点 发射区向基区 扩散电子 IE IBN 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 ICＮ ICN N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 二、管内载流子的运动 VBB正极拉走电 子，或补充被复 合的空穴，形 成 IBＮ VCC RC VBB RB ICBO E B C IB IC 当前第68页\共有129页\编于星期一\11点 IE=ICN+IBN 电流关系： 定义： CE直流电流放大系数 —此结果符合KCL 整理得到： IB=IBN-ICBO IC=ICN+ICBO IE = IC + IB 基极开路时集电极与发射极间的穿透电流 发射区的多子扩散 当前第69页\共有129页\编于星期一\11点 记住： 当前第70页\共有129页\编于星期一\11点 20V VCC RC Rb VBB ui + - uCE (uO) + - 定义： CE交流电流放大系数 一般认为： 当前第71页\共有129页\编于星期一\11点 定义： CB直流电流放大系数 整理得到： 定义： CB交流电流放大系数 一般认为： 发射极开路时集电结的反向饱和电流 当前第72页\共有129页\编于星期一\11点 e区的多子扩散而导电 c区和b区的平衡少子飘移而导电： IE=ICN+IBN ICBO 双极性晶体管 当前第73页\共有129页\编于星期一\11点 E C B T iB iC iE C B E T iE iB iC 当前第74页\共有129页\编于星期一\11点 1.5.4 三极管的特性曲线(CE) 三极管的特性曲线是其各极电压和电流之间关系的曲线。从使用三极管的角度来说，了解其特性曲线比了解其内部载流子运动显得更为重要。 iC uCE uBE iB iB = f (uBE ) UC E = 常数 输入特性 输出特性 IB = 常数 iC = f (uCE ) 双端口网络 当前第75页\共有129页\编于星期一\11点 一、三极管的输入特性 iB = f (uBE ) UC E = 常数 1.5.4 三极管的特性曲线(CE) 死区 uBE/V iB/?A 0 UCE = 0 UCE ≥ 1V UCE=0时： + - uBE B C E iB UCE 0V时，曲线右移， UCE≥ 1V后，曲线几乎重合。 一般用UCE １V的任一曲线 与二极管正向特性相似 ＵＯＮ 当前第76页\共有129页\编于星期一\11点 由上述分析可知：三极管输入特性也有一段死区。在正常工作下，NPN型硅管uBE=0.６～0. 8V；PNP型硅管uBE=-0.8~-0.6V。 UCE