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本实用新型涉及芯片封装领域，具体涉及一种散热型芯片扇出结构，所述散热型芯片扇出结构包括芯片下基板、芯片本体、芯片上基板，所述芯片下基板的表面开设有芯片槽和沟槽，所述芯片槽内部固定所述芯片本体，所述沟槽包括完全填充沟槽和/或部分填充沟槽，至少一个所述沟槽为所述部分填充沟槽，所述完全填充沟槽内全部空间填充导电物质，所述部分填充沟槽内部分空间填充所述导电物质。本实用新型的散热型芯片扇出结构的沟槽中部分填充导电物质，在沟槽内导电物质上方留出冷却介质流动的空间，利用电路沟槽自身结构将芯片内部元器件的热量传
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210073819 U
(45)授权公告日
2020.02.14
(21)申请号 20192
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