SJ_T 11490-2015低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法.pdf

ICS 29. 045H 83备案号：50547-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11490—2015低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers2015－10－01 实施2015-04-30 发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 11490—2015前言本标准按照GB/T1.1-—2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。本标准主要起草人：章安辉、何秀坤、“刘兵、李翔、付雪涛。.:强.- SJ/T 11490—2015低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法1 范围本标准规定了低位错密度砷化镓（GaAs）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000/cm²的圆形GaAs晶片的EPD的测量。2　规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T8760-2006砷化镓单晶位错密度的测量方法3　方法原理对砷化镓抛光片进行熔融氢氧化钾腐蚀后，用显微镜观察并记录腐蚀坑数量。4仪器设备显微镜：测量视场面积应为0.01cm²或更大。5化学试剂5.1硫酸（p=1.84g/mL）,浓度95%～98%，优级纯。5.2过氧化氢（p=1.00g/mL）,浓度≥30%，优级纯。5.3氢氧化钾，浓度≥85%，优级纯。6试样制备按照GB/T8760—2006要求制备试样。7测量步骤7.1直径2英寸晶片和3英寸晶片的计数位置分别示于图1和图2。计数点位于每个网格的中心。对于直径2英寸晶片，网格边长为5mm，计数点总数为69个，第35点位于晶片中心。而对于直径3英寸晶片，网格边长为10mm，计数点总数为37个，第19点位于晶片中心。7.2计数并记录其中心在测量视场内的腐蚀坑个数。如果腐蚀坑太密集而难以计数，那么提高放大倍数。然后，计数腐蚀坑数并记录结果以及显微镜放大倍数。1 SJ/T 11490—20157.3对所有其它计数点重复7.2所述操作，即直径2英寸晶片的第2点到第69点，直径3英寸晶片的第2点到第37点。直径2英寸晶片的计数位置图1--图2-直径3英寸晶片的计数位置8 计算每个测量视场的EPD等于该视场腐蚀坑数除以视场面积，即：EPD-W/S.(1)式中:W.-腐蚀坑数，个;S-视场面积，cm²。示例：某测量视场尺寸是0.1cmx0.1cm，那么其视场面积就是0.01cm²。9报告报告EPD的测试结果可以有几种形式，例如，所有计数点的平均EPD、小于某一指定值的面积上的EPD平均值、或整个晶片的EPD的分布图等等。应由供需双方共同商定一个适当的报告形式。2 中华人民共和廣国电子行业标准低位错密度化镓抛光片蚀坑密度的测量方法SJ/T 11490--2015*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*1开本：880×12301/16印张：字数：12千字22015年8月第一版2015年8月第一次印刷印数：200册版权专有不得翻印举报电话：（010