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2023-08-09 发布于北京
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一种高密度trench型MOSFET的制造方法.pdf

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本发明公开一种高密度trench型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域。在沟槽前先实现阱区注入，沟槽刻蚀的硬掩蔽层采用外延硅‑氧化硅‑氮化硅结构，此膜层结构一直保留至多晶刻蚀；多晶刻蚀后对硬掩膜层中第二氧化硅层和第一氮化硅层进行SPACER刻蚀处理，在多晶两侧形成SPACER侧墙；介质孔腐蚀后，在孔打开区域形成氮化硅硬掩蔽层，实现硅孔自对准腐蚀，保证硅孔始终处于沟槽与沟槽之间的中心位置。本发明通过优化工艺步骤和工艺流程加工顺序，不需要增加额外的光刻层次，在工艺难度和制造成本增加有限的情

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116564821 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310582828.1 (22)申请日 2023.05.23 (71)申请人中国电子科技集团公司第五十八研

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