SJ_T 11487-2015半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法.pdf

ICS 29. 045H 83备案号：50544-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11487—2015半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法Non-contact measurement method for the resistivity of semi-insulatingsemiconductor wafer2015－10－01实施2015-04 - 30 发布发布中华人民共和国工业和信息化部SJ SJ/T 11487—2015前言本标准按照GB/T1.1--2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。本标准主要起草人：何秀坤、董彦辉、“刘兵、李翔、村雪涛。...wa：E1.---##161S主，， SJ/T 11487—2015半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法1范围本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓、磷化铟、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量，电阻率的测量范围为105 2-cm ～1012 2.cm。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语3术语和定义GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。4　方法原理非接触式电阻率测试源自电容充放电原理，如图1所示。电阻率R与电容充放电弛豫时间t成正比，根据电量变化的弛豫曲线可确弛豫时间t，并最终计算得到电阻率Rs。0电容探头电极外围防护晶片r-R;(Ca+C)1卡盘图1非接触式电阻率测量原理图1 SJ/T 11487---20155 干扰因素测量时应注意以下干扰因素：a)样品厚度均匀性和有效测量面积的变化对测量结果产生影响，测量试样厚度应均匀，其面积应大于探头面积。b)测量温度等均会对测量结果产生影响，应注意保持测试环境和试样温度在22℃~24℃范围。6测量装置测量装置由下列部分组成：电容式无接触半绝缘晶片电阻率测定仪：a)b)千分尺，精度士0.01mm。7环境要求环境温度为22℃~24-℃，相对湿度小于70%测试室应无机械冲击、振动无电磁干扰。-8　样品制备茶将试样制备成厚度为0.5mm～1mm两面平行的圆片或方片，样品的有效测量面积应大于探头面积。.9测试步骤=_=3E- :-- -------.3.3.---9.1校准采用同类校准样品进行10次测量，例如对于电阻率为10°2.cm～10°Q·cm的碳化硅标样，所测得的标样电阻率平均值与标称值的差在±2%范围内；对于电阻率为1052·cm～10°Q·cm或10%2.cm～10l22·cm的碳化硅标样，所测得的标样电阻率平均值与标称值的差在土10%范围内。9.2测量将试样放入样品室中测定时间常数t，测试时试样应避光，、避免试样光电导对测量结果的影响。10 计算由公式（1）计算电阻率p:= t()-1(1)式中：8测试材料的相对介电常数；介电常数；E0-时间常数，S。T2 SJ/T 11487—2015精密度11在同一实验室，按照本标准，对电阻率为4×10°2.cm的碳化硅样品进行10次重复性测量，相对标准偏差（RSD）为2%。报告12报告应包括如下内容：样品来源；a)样品编号、名称、规格；b)样品厚度；c)有效测量面积；d)测量环境；e)测量仪器型号；f)测量结果;g)测试单位、测试日期。h)测试者姓名、3 中华人民共和国电子行业标准半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法SJ/T 11487—2015*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*S开本：880×12301/16印张：字数：15千字82015年8月第一版2015年8月第一次印刷印数：200册版权专有不得翻印举报电话：（010