SJT 10053-19913DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管SJ/T 10053-91Detail specification for electronic componentsCase rated bipolar transistorfor silicon NPN low--frequency amplificationfor type3DD313本标准适用于3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB7577《低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的。符合GB4936.1《半导体分立器件总规范》I类的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施 SI/T 10053—91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据：SJ/T 10053—91GB4936.1半导体分立器件总规范》3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管订货资料：见本规范第7章2简略说明1机械说明半导体材料：si外形符合GB7581-87《半导体分立器件外形尺寸》中封装：塑封 (非空腔)F3—03A的要求应用：彩电中作伴音功放和顿输出等外形图如下；4of3质量评定类别1类参考数据sP tot=30W(Tcasc=25 C)Ptot=1.8W(Tamb=25C)BIc 3A国?VcBO-- 60V2(3Vco 60Vojc向Ve0 = 5V代hpE(1)= 40~320F3--03A*尺1符2尺寸min nom|maxminnommax号符号A4.83. 52.54*B2. 4F1.11. 4B:1.8L12.514.5b0. 6Li3. 5dbs1. 2L?6. 3c0. 4$PD16.5Q2. 53. 1D;5.96.92.02. 8Q1E10.7z3. 02.集电极1.基极引出端识别：3.发射极 SJ/T 10053-914极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。数值条文号参数名称符号单位最小值最大值4.1管壳温度cTease-401504. 2贮存温度Tstg-40c1504. 3v集电极—基极最大直流电压VcBo604.4集电极一v一发射极最大直流电压VcEO60一4.5v发射极基极最大直流电压VeBo54. 6 集电极最大直流电流Ie3A4.8.1最大总功耗WPtot30(Tcase= 25 C)W1.8(Tcae25 C)4.8.2最高有效结温T(vi)℃1504. 9直流安全工作区见本规范第10章的图5电特性数值特性和条件试验条文号符号单位除非另有规定，Tamb=25℃组别最小值最大值5.1共发射极正向电流传输比静态值hre(1)CA2b4080Vce - 2V, Ic - 1AD60120E100200F1603205.3共发射极正向电流传输比静态值hre(2)40C2bVce 2V,c=0. 1A5. 4特征频率fr3MHzC2aVc 5V,lc= 0. 5A,f=1MHz5. 6截止电流集电极一基极截止电流Icho (1)A2b100HAVcB= 60V集电极一发射极截止电流IceoA2b1mAVce = 60V发射极-基极截止电流IgomAA2b1VEB=5V5. 7高温下的截止电流集电极一基极截止电流IcBo(2)7mAC2bT amb 100CVc 40V5.8集电极一发射极饱和电压VcE(oat)V1.0A3In-0. 2A,lc- 2A-3- SJ/T 10053-91续表数值特性和条件试验条文号符号单位除非另有规定，Tamb=25℃组别最小值最大值5. 9 基极一发射极电压VaE1.5VA2bVc - 2V,e= 1A5. 10热阻R th(j-case)c/wC2bN6 标志6.1器件上的标志a。产品型号3DD313;b．hFEe分档标志按hFe分档规定打上字母；质量评定类别标志I，放在型号标志后面；c.d.制造厂商标；检验批的识别代号。e.6.2包装盒上的标志a.重复器件上的标志；b.标上“怕湿”等注意标记。7 订货资料订货单上应有下列内容：a.准确的型号；b.hrg 分档标志;c.本规范的编号；d.其他。8 试验条件和检验要求本章中除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1,GB4937《半导体分立器件机械和气候试验方法》和GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》的条文号，测试方法引自GB 4936.1的6.1.1。 SJ/T 10053--91A组逐批全部试验都是非破坏性的检验求要条件检验或试验引用标准极限除非另有规定，Tamb=25℃单位ILAQL最小值最大值A1分组0. 651外部目检GB 4936.15.1.1A2a 分组0.15不工作器件I