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本申请实施例提供了一种电容器，涉及半导体技术领域。该电容器包括：第一极板；第二极板，与所述第一极板相对设置；介质层，设置于所述第一极板与所述第二极板之间；第一阻挡层，设置于所述第一极板与所述介质层之间；第二阻挡层，设置于所述第二极板与所述介质层之间。解决了目前的硅电容器的可靠性较弱的技术问题，达到了提高硅电容器可靠性的技术效果。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504760 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202210605086.5
(22)申请日 2022.05.31
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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