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本申请提供了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括基底以及阱区结构，其中，基底包括衬底、外延层、体区、漂移区以及源区，外延层位于衬底上，体区与漂移区接触且均位于外延层中，源区位于体区中，衬底、外延层以及体区的掺杂类型相同，漂移区与源区的掺杂类型相同且与外延层的掺杂类型不同；阱区结构位于外延层中，且阱区结构位于体区以及漂移区的靠近衬底的一侧，阱区结构分别与体区、漂移区以及衬底接触，阱区结构与外延层的掺杂类型相同，且阱区结构的掺杂浓度高于外延层的掺杂浓度。阱区结构使得雪崩现象产生的空穴电流从衬底
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504836 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202210505479.9
(22)申请日 2022.05.10
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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