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本申请提供了一种LDMOS器件以及其制作方法，该器件包括基底、栅极、第一场板以及多个第二场板，其中，基底包括衬底、外延层、体区以及漂移区，体区以及漂移区接触且均位于外延层中，漂移区包括沿着预定方向接触设置的多个掺杂区域，相邻的掺杂区域的掺杂类型不同，栅极位于外延层的远离衬底的一侧；第一场板位于栅极的远离基底的一侧，第一场板在栅极上的投影覆盖栅极，且第一场板在外延层上的投影覆盖部分体区以及部分漂移区；多个第二场板位于外延层的远离衬底的一侧，第二场板在外延层中的投影一一对应地覆盖部分掺杂区域。多个第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504837 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202210552464.8
(22)申请日 2022.05.20
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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