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本申请提供一种倒装发光二极管芯片。分布式布拉格反射层将透明导电层边缘、P型半导体层边缘和发光层边缘覆盖，并露出N型半导体台阶中间部分和透明导电层中间部分。N型金属电极层延伸至N型半导体台阶边缘，发光层、P型半导体层以及透明导电层设置于倒装发光二极管芯片的中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘。因此，即使当倒装发光二极管芯片的边缘出现裂痕破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路，出现漏电失效的情况。本申请中倒装发光二极管芯片解决了传统倒装LED芯片的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209896094 U
(45)授权公告日
2020.01.03
(21)申请号 20192
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