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本发明公开了一种提升含Al氮化物半导体材料的晶体质量的方法。所述方法包括:在衬底上沉积形成作为成核层的含Al氮化物半导体材料底层;在所述含Al氮化物半导体材料底层上生成形成AlON层,之后继续生长含Al氮化物半导体材料层,制得高质量含Al氮化物半导体材料外延薄膜。本发明通过在含Al氮化物半导体材料薄膜上生长AlON,进而在下一步的外延生长时利用形成的AlON来进一步阻挡和湮灭穿透位错,从而改善晶体质量,同时并不存在AlN侧向外延的难合并等问题。同时,本发明的方法工艺简单,可以适应于各类外延生长,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116479400 A
(43)申请公布日 2023.07.25
(21)申请号 202210050516.1
(22)申请日 2022.01.17
(71)申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿
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