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一种金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板的制造方法,包括:经成膜、曝光、显影、蚀刻及剥膜后在玻璃基板上图案化出第一金属层;在已图案化好的第一金属层上沉积一层IGZO层,并共用第一金属层的光罩进行曝光、显影、蚀刻及剥膜;用绝缘层的光罩曝光显影第一金属层上方的IGZO层,仅曝光出绝缘层需要开孔的地方;对显影后的IGZO层进行第二次草酸蚀刻,蚀刻掉绝缘层开孔位置的IGZO,随后再去除光阻;采用PECVD方式沉积绝缘层,隔绝覆盖在第一金属层之上;采用PVD方式沉积半导体层IGZO,并进行图案化处理,形成TFT
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116469834 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310228571.X
(22)申请日 2023.03.10
(71)申请人 华映科技(集团)股份有限公司
地址
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