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本发明公开了一种SRAM存储单元，包括：由第一施密特反相器和第二施密特反相器组成的一对施密特反相器。第一施密特反相器的输入端连接第二施密特反相器的输出端，第一施密特反相器的输出端连接第二施密特反相器的输入端。利用施密特反相器所具有的迟滞效应提高SRAM存储单元的噪声容限。本发明能提高噪声容限。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851178 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202111151658.9
(22)申请日 2021.09.29
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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