原创力文档- 1、本文档共17页，其中可免费阅读16页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种用于加工激光器件(10)，尤其是III‑V硅上激光器的方法，包括：‑提供载体衬底(11)；‑在载体衬底(11)上形成光栅结构(12)，其中该光栅结构(12)界定载体衬底(11)的表面上的空腔(13)；‑将管芯(16)置于空腔(13)中，并且将管芯(16)结合至载体衬底(11)，其中该管芯(16)包括来自至少一个III‑V半导体材料的有源区(17)；‑通过将管芯(16)的暴露侧结合至硅衬底(18)来将管芯(16)从载体衬底(11)转移到硅衬底(18)，并且随后将载体衬底(11)从管芯
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851924 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202110642967.X H01S 5/042 (2006.01)
(22)申请日 2
文档评论（0）