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用于在堆叠纳米带装置上的双金属栅的插塞和凹进过程.pdfVIP

用于在堆叠纳米带装置上的双金属栅的插塞和凹进过程.pdf

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    本公开的发明名称是用于在堆叠纳米带装置上的双金属栅的插塞和凹进过程。本文所公开的实施例包括半导体装置以及制作这类装置的方法。在实施例中，半导体装置包括：多个堆叠半导体沟道，包括第一半导体沟道以及在第一半导体沟道之上的第二半导体沟道。在实施例中，间距是在第一半导体沟道与第二半导体沟道之间。半导体装置进一步包括栅电介质，该栅电介质包围多个堆叠半导体沟道的半导体沟道的单独半导体沟道。在实施例中，第一功函数金属包围第一半导体沟道，而第二功函数金属包围第二半导体沟道。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113851540 A (43)申请公布日 2021.12.28 (21)申请号 202011552927.8 H01L 21/336 (2006.01)

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