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本发明提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法对多晶硅靶材和铜背板分别采用不同的预处理方式和浸润处理方式提高二者的浸润效果，之后在处理后铜背板上放置铜丝，将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面，并依次叠合处理后铜背板、铜丝、处理后多晶硅靶材、耐高温硅胶、木块和金属压块，冷却后完成钎焊。本发明提供的多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法解决了多晶硅靶材与铜背板焊接时不能有效浸润、焊料易流失导致形成的焊接层厚度很薄的问题，得到的多晶硅靶材与铜背板的钎焊结合率高、焊接结合强度高且焊接抗拉强度高，可满足多晶硅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113828881 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111225048.9 B24B 7/22 (2006.01)
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