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具有绝缘体上应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构.pdfVIP

具有绝缘体上应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构.pdf

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    描述了在绝缘体层上具有应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构，以及制造在绝缘体层上具有应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括在衬底上方的绝缘体层。水平半导体纳米线的垂直布置体在绝缘体层上方。栅极叠层围绕水平半导体纳米线的垂直布置体的沟道区，并且栅极叠层在绝缘体层上。一对外延源极或漏极结构在水平半导体纳米线的垂直布置体的第一和第二端处并且在绝缘体层上。一对外延源极或漏极结构中的每一个具有压缩或扩展的晶格。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113851541 A (43)申请公布日 2021.12.28 (21)申请号 202011557547.3 H01L 29/423 (2006.01)

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