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公开了一种集成电路金属化线，其具有平坦顶表面但不同的垂直高度，例如，以控制集成电路互连的层内电阻/电容。可以在通孔金属化部上方的两个厚度的电介质材料之间插入硬掩模材料层。在沉积硬掩模材料层之后，可以穿过硬掩模层图案化沟槽开口，以限定线金属化部在哪里将具有更大高度。在硬掩模材料层上方沉积一定厚度的电介质材料之后，可以穿过最上方厚度的电介质材料蚀刻沟槽图案，在沟槽不和硬掩模材料层中的开口重合的任何地方暴露硬掩模材料层。在硬掩模材料层被暴露的地方，沟槽蚀刻可能被延迟，从而获得不同深度的沟槽。可以利用金
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113851452 A
(43)申请公布日 2021.12.28
(21)申请号 202011545573.4
(22)申请日 2020.12.24
(30)优先权数据
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