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2023-07-07 发布于四川
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本申请涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底以及形成于半导体衬底上的有源区，有源区包括沟道区、形成于沟道区上的栅极结构以及形成于沟道区两侧的源区和漏区；层间介质层，形成于有源区上；顶层金属层，位于层间介质层上并通过接触孔与有源区电连接；钝化层，位于顶层金属上，钝化层包括富氧硅层和叠设于富氧硅层上的富硅氮化硅层，其中，富氧硅层的厚度范围为富氧硅层的折射率范围为1.67～1.70。上述半导体器件，将富氧硅的厚度调整至范围内，并将其折射率调整至1.67～1.70范围内，可以在不增加额外操作便能提升半导体

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113851427 A (43)申请公布日 2021.12.28 (21)申请号 202010595375.2 (22)申请日 2020.06.28 (71)申请人无锡华润上华科技有限公司

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