半导体器件外延工艺及包括其形成的外延层的半导体器件.pdfVIP

半导体器件外延工艺及包括其形成的外延层的半导体器件.pdf

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本发明涉及半导体器件外延工艺,涉及半导体集成电路制造技术,在形成有多个伪栅极结构的半导体衬底上,通过刻蚀工艺在伪栅极结构的两侧自对准形成凹槽;通过外延工艺在凹槽的内侧表面形成初始籽晶层,初始籽晶层位于凹槽底部的厚度较厚,而侧壁较薄;纵向刻蚀初始籽晶层,以将初始籽晶层的底部减薄,而形成籽晶层;通过外延工艺在籽晶层上形成主体层,主体层将凹槽填充;通过外延工艺在主体层上形成盖埋层,如此可在有效隔绝主体层与沟道在静态下载流子的导通,从而降低漏电流的基础上,最大可能地增加主体层厚度,从而增强沟道应力,提高

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823561 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 20201

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