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本发明公开了一种倍频栅极驱动电路及其倍频控制方法,涉及功率半导体器件驱动控制技术领域。该倍频栅极驱动电路至少包括一个栅极驱动电路;栅极驱动电路包括两个串接于驱动芯片和负载之间的且带有反并联二极管的MOSFET;其中,第一个MOSFET用于驱动或阻断所述驱动芯片的输出信号,第二个MOSFET用于基于第一个MOSFET的输出信号控制所述负载导通或关断。本发明的倍频栅极驱动电路,采用小封装MOSFET,可以不改变并联系统中驱动芯片和负载的使用种类和数量,极大的减少器件成本和布线面积,并实现系统倍频输出
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113794469 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111031493.1
(22)申请日 2021.09.03
(71)申请人 中国科学院电工研究所
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