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本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，包括选择性地移除与第一互连结构同时形成在第一介质层中的第一对准结构，显露出定义在第一介质层中的第一对准沟槽。接着，于第一介质层上形成一导电层，其中导电层填入第一对准沟槽的部分形成第二对准结构，然后用第二对准结构作为对准标记进行微影暨蚀刻工艺，将导电层图案化成第二互连结构。本发明的方法可在第一互连结构和第二互连结构之间获得较佳的对准精确度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116387283 A
(43)申请公布日 2023.07.04
(21)申请号 202310245791.3
(22)申请日 2023.03.15
(71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司
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