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描述了清洁组合物与一种或多种氧化剂组合的用途，用于从半导体衬底表面除去蚀刻后或灰化后的残余物和/或用于氧化性蚀刻或部分氧化性蚀刻包含选自TiN、Ta、TaN、Al和HfOx的材料或由其组成的层或掩模和/或包含选自碳化钨(WCx)和氮化钨(WNx)的材料或由其组成的层或掩模，和/或用于从半导体衬底表面除去包含铝化合物的层。进一步描述了所述清洁组合物和所述清洁组合物用于从半导体衬底表面除去蚀刻后或灰化后的残余物的用途。在另一方面，描述了一种包含所述清洁组合物和一种或多种氧化剂的湿蚀刻组合物以及所述湿
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113785040 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202080033205.3 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所
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