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本发明涉及一种减小双自对准接触的FinFET标准单元面积的方法，涉及半导体集成电路制造技术，形成一个双自对准接触的FinFET标准单元，其中一个为跨越扩散连接孔的自对准栅极接触，另一个为跨越栅极的自对准扩散连接孔接触，其中在形成扩散连接孔之后，进行扩散连接孔填充塞刻蚀，并在刻蚀形成的孔洞内形成盖帽层，而实现两自对准接触间的隔离，如此可进一步减小有效鳍或虚拟鳍的尺寸，而进一步减小鳍式场效应晶体管标准单元的面积，并可防止相邻的M0A和M0P桥接在一起，而提高器件性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782434 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202110924157.3
(22)申请日 2021.08.12
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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