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一种光电子装置，其包括：成核抑制涂层(NIC)，所述NIC安置在所述装置的在其横向方面的第一部中的表面上；以及导电涂层，所述导电涂层安置在所述装置的在其所述横向方面的第二部中的表面上；其中在所述第一部中，所述导电涂层针对所述NIC的初始粘附概率显著小于针对所述表面的初始概率，使得所述第一部基本上缺乏所述导电涂层；并且其中所述NIC包括具有如下式(I)所展示的式等式的化合物。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113785411 B
(45)授权公告日 2023.04.11
(21)申请号 202080032836.3 (72)发明人 M ·海兰德 S ·N ·格宁 Z ·王
(22)
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