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晶体管中的栅极结构及其形成方法.pdfVIP

晶体管中的栅极结构及其形成方法.pdf

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    本申请涉及晶体管中的栅极结构及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，围绕第一纳米结构；第二高k栅极电介质，围绕第二纳米结构；以及栅极电极，在第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极包括：第一功函数金属；第二功函数金属，在第一功函数金属之上；以及第一金属残留物，在第一功函数金属与第二功函数金属之间的界面处，其中，第一金属残留物具有与第一功函数金属的金属元素不同的金属元素。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764411 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202110083820.1 (22)申请日 2021.01.21 (30)优先权数据 63/066,36

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